深紫外光刻（DUV）和極紫外光刻（EUV）如何提高光刻分辨率？

深紫外光刻（DUV）和極紫外光刻（EUV）如何提升光刻解析度？

深紫外光刻（DUV）和極紫外光刻（EUV）是兩種先進的光刻技術，主要通過縮短光波長來提高光刻解析度，進而實現更精細的電路圖案轉移。在HDI（高密度互連）製造中，高解析度光刻技術對於創建微小且密集的線路至關重要。

DUV光刻技術的原理與優勢

DUV光刻使用波長為193奈米的深紫外光。相較於傳統光刻技術，DUV能夠顯著提高解析度，使得在基板上形成更小的特徵尺寸成為可能。此外，DUV技術還具有較高的成熟度和穩定性，在工業界得到廣泛應用。通過結合浸潤式光刻等技術，DUV的解析度可以進一步提升，滿足多數HDI製造需求。

EUV光刻技術的原理與優勢

EUV光刻則採用波長僅為13.5奈米的極紫外光，相較於DUV，EUV光刻能夠實現更高的解析度。這意味著可以在晶片上製造更小、更密集的電路結構，從而提高晶片的性能和集成度。EUV光刻技術被視為下一代光刻的關鍵技術，儘管其設備成本高昂且技術挑戰巨大，但它在推動半導體技術發展方面具有重要意義。