InP基板相較於Si和GaAs的獨特優勢有哪些？

磷化銦（InP）基板相對於矽（Si）和砷化鎵（GaAs）的獨特優勢

磷化銦（InP）基板因其高電子遷移率、高飽和電子漂移速度和寬能隙等特性，在全球市場中佔有獨特地位。相較於矽（Si）和砷化鎵（GaAs），InP 在光通訊領域，特別是 1,000nm 以上波長的光訊號發射和探測方面，扮演著關鍵角色。

InP 基板更適合高功率元件和高速應用，如 5G 超高速傳輸技術。由於技術門檻極高，全球磷化銦（InP）基板市場長期以來由少數國外廠商壟斷。

環球晶圓（WaferTech）透過併購等方式進入磷化銦（InP）基板市場，此舉旨在利用 InP 基板在特定應用中的優勢，提升其在該領域的競爭力，打破國外廠商的壟斷。隨著 5G 等技術的發展，InP 需求持續增長，環球晶圓的加入有助於提升台灣在全球半導體產業鏈中的地位。儘管未來預計將有更多競爭者加入，但環球晶圓需持續投入研發，才能在市場上佔有一席之地。