光刻機和蝕刻機是晶片製造過程中至關重要的設備，直接影響台積電晶片的效能和良率。光刻機負責將電路圖案精確地轉印到晶圓上，而蝕刻機則根據光刻產生的圖案，選擇性地移除晶圓上的材料，形成精細的電路結構。
光刻機的解析度和精確度是決定晶片線寬的關鍵因素。線寬越小，晶片上的電晶體密度越高，效能也越好。台積電不斷引進更先進的光刻技術，如極紫外光 (EUV) 光刻，以實現更小的線寬和更高的電晶體密度。光刻機的穩定性和可靠性也直接影響晶片的良率。任何光刻過程中的偏差都可能導致晶片缺陷，降低良率。
蝕刻機的均勻性和選擇性是影響晶片效能和良率的重要因素。均勻的蝕刻可以確保晶片上的電路結構一致，提高晶片的效能。選擇性蝕刻則可以精確地移除不需要的材料，避免損壞晶片上的其他結構。台積電採用先進的蝕刻技術，如乾式蝕刻和電漿蝕刻，以實現更高的蝕刻精度和更好的晶片效能。
光刻機和蝕刻機在台積電的晶片製造過程中扮演著核心角色。更先進的光刻和蝕刻技術可以提高晶片的效能和良率，從而提升台積電在半導體產業的競爭力。投資者在關注台積電的同時，也可以關注相關的光刻和蝕刻設備供應商，以了解半導體產業的最新發展趨勢。
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